T 0867/94 vom 21.10.1998
- Europäischer Rechtsprechungsidentifikator
- ECLI:EP:BA:1998:T086794.19981021
- Datum der Entscheidung
- 21. Oktober 1998
- Aktenzeichen
- T 0867/94
- Online am
- 21. Oktober 1998
- Antrag auf Überprüfung von
- -
- Anmeldenummer
- 89312274.7
- IPC-Klasse
- H01L 21/3105
- Verfahrenssprache
- Englisch
- Verteilung
- An die Kammervorsitzenden verteilt (C)
- Download
- Entscheidung auf Englisch
- Amtsblattfassungen
- Keine AB-Links gefunden
- Weitere Entscheidungen für diese Akte
- -
- Zusammenfassungen für diese Entscheidung
- -
- Bezeichnung der Anmeldung
- Method for manufacturing a semiconductor device having a phospho silicate glass layer as an interlayer insulating layer
- Name des Antragstellers
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Name des Einsprechenden
- -
- Kammer
- 3.4.01
- Leitsatz
- -
- Relevante Rechtsnormen
- European Patent Convention Art 123(2) 1973European Patent Convention Art 84 1973European Patent Convention Art 56 1973
- Schlagwörter
- Main request: inventive step (yes)
- Orientierungssatz
- -
- Zitierte Akten
- -
- Zitierende Akten
- -
ORDER
For these reasons it is decided that:
1. The decision under appeal is set aside.
2. The case is remitted to the department of the first instance with the order to grant a patent on the basis of the following documents according to the main request:
Claims:
No. 1 to 7, 8 (page 14) as filed with the letter of 20. October 1994, No. 8 (page 15) as filed with the letter of 16 July 1998,
Description:
Pages 1 to 3, 5, 7, 8 as originally filed, Page 4, 6, 9, 10 as filed with the letter of 16 July 1998,
Drawings:
Figures 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F as filed with the letter of 22 February 1990, Figures 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 3A, 3B, 4A, 4B, 5A, 5B, 5C, 6A, 6B, 6C as originally filed.