T 0108/08 du 25.01.2011
- Identifiant européen de la jurisprudence
- ECLI:EP:BA:2011:T010808.20110125
- Date de la décision
- 25 janvier 2011
- Numéro de l'affaire
- T 0108/08
- En ligne le
- 9 mai 2011
- Requête en révision de
- -
- Numéro de la demande
- 00102398.5
- Classe de la CIB
- H01L 29/78
- Langue de la procédure
- Anglais
- Distribution
- Non distribuées (D)
- Téléchargement
- Décision en anglais
- Versions JO
- Aucun lien JO trouvé
- Autres décisions pour cet affaire
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- Résumés pour cette décision
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- Titre de la demande
- MOS-gated device having a buried gate and process for forming same
- Nom du demandeur
- Fairchild Semiconductor Corporation
- Nom de l'opposant
- -
- Chambre
- 3.4.03
- Sommaire
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- Dispositions juridiques pertinentes
- European Patent Convention Art 56 1973
- Mots-clés
- Inventive step (yes)
- Exergue
- -
- Affaires citées
- -
- Affaires citantes
- -
ORDER
For these reasons it is decided that:
1. The decision under appeal is set aside.
2. The case is remitted to the first instance with the order to grant a patent on the basis of the following documents:
Description: 1, 1a, 2, 3 as filed during the
oral proceedings
4-7 as originally filed
Claims: 1-12 as filed on
21 December 2007 with
the grounds of appeal
(as Main Request)
Drawings: Figures 1, 2A-D, 3A-C (Sheets 1-5)
as originally filed.