T 1983/17 du 07.09.2021
- Identifiant européen de la jurisprudence
- ECLI:EP:BA:2021:T198317.20210907
- Date de la décision
- 7 septembre 2021
- Numéro de l'affaire
- T 1983/17
- En ligne le
- 6 octobre 2021
- Requête en révision de
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- Numéro de la demande
- 03784733.2
- Classe de la CIB
- H01L 21/20
- Langue de la procédure
- Anglais
- Distribution
- Non distribuées (D)
- Téléchargement
- Décision en anglais
- Versions JO
- Aucun lien JO trouvé
- Autres décisions pour cet affaire
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- Résumés pour cette décision
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- Titre de la demande
- STRAIN COMPENSATED SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND METHODS OF FABRICATING STRAIN COMPENSATED SEMICONDUCTOR STRUCTURES
- Nom du demandeur
- Cree, Inc.
- Nom de l'opposant
- -
- Chambre
- 3.4.03
- Sommaire
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- Dispositions juridiques pertinentes
- European Patent Convention Art 56 1973Rules of procedure of the Boards of Appeal Art 12(4)Rules of procedure of the Boards of Appeal Art 13(2)Rules of procedure of the Boards of Appeal Art 25(1)Rules of procedure of the Boards of Appeal Art 25(2)
- Mots-clés
- Inventive step - main request, first auxiliary request (no)
Late-filed second auxiliary request - admitted (no)
First and second auxiliary requests filed with the grounds of appeal - admitted (no) - Exergue
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- Affaires citées
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- Affaires citantes
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Order
For these reasons it is decided that:
The appeal is dismissed.