T 0610/89 du 18.09.1991
- Identifiant européen de la jurisprudence
- ECLI:EP:BA:1991:T061089.19910918
- Date de la décision
- 18 septembre 1991
- Numéro de l'affaire
- T 0610/89
- En ligne le
- 4 novembre 1991
- Requête en révision de
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- Numéro de la demande
- 82201230.8
- Classe de la CIB
- H01L 21/27
- Langue de la procédure
- Anglais
- Distribution
- Non distribuées (D)
- Téléchargement
- Décision en anglais
- Versions JO
- Aucun lien JO trouvé
- Autres décisions pour cet affaire
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- Résumés pour cette décision
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- Titre de la demande
- Process for producing a semiconductor device having an insulating layer of silicon dioxide covered by a film of silicon oxynitride
- Nom du demandeur
- Fujitsu Ltd
- Nom de l'opposant
- Siemens AG
- Chambre
- 3.4.01
- Sommaire
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- Dispositions juridiques pertinentes
- European Patent Convention Art 56 1973
- Mots-clés
- Inventive step (no)
Interpretation of the prior art in view of common
general knowledge at the filing date - Exergue
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- Affaires citées
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- Affaires citantes
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ORDER
For these reasons, it is decided that:
The appeal is dismissed.