T 0612/95 (Interposed silicon carbide layer/KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA) du 11.09.2001
- Identifiant européen de la jurisprudence
- ECLI:EP:BA:2001:T061295.20010911
- Date de la décision
- 11 septembre 2001
- Numéro de l'affaire
- T 0612/95
- En ligne le
- 10 octobre 2001
- Requête en révision de
- -
- Numéro de la demande
- 90112253.1
- Classe de la CIB
- H01L 23/485
- Langue de la procédure
- Anglais
- Distribution
- Distribuées aux présidents des chambres de recours (C)
- Téléchargement
- Décision en anglais
- Versions JO
- Aucun lien JO trouvé
- Autres décisions pour cet affaire
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- Résumés pour cette décision
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- Titre de la demande
- Semiconductior device
- Nom du demandeur
- KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- Nom de l'opposant
- -
- Chambre
- 3.4.03
- Sommaire
- -
- Dispositions juridiques pertinentes
- European Patent Convention Art 123(2) 1973European Patent Convention Art 54(3) 1973European Patent Convention Art 52(1) 1973European Patent Convention Art 56 1973
- Mots-clés
- Amendments - admissible
Novelty - yes
Inventive step - yes - Exergue
- -
- Affaires citées
- -
- Affaires citantes
- -
ORDER
For these reasons it is decided that:
1. The decision under appeal is set aside.
2. The case is remitted to the department of the first instance with the order to grant the patent on the basis of the documents listed in paragraph III of this decision.