T 0409/01 vom 26.06.2003
- Europäischer Rechtsprechungsidentifikator
- ECLI:EP:BA:2003:T040901.20030626
- Datum der Entscheidung
- 26. Juni 2003
- Aktenzeichen
- T 0409/01
- Online am
- 21. Juli 2003
- Antrag auf Überprüfung von
- -
- Anmeldenummer
- 94118479.8
- IPC-Klasse
- H01L 21/316
- Verfahrenssprache
- Englisch
- Verteilung
- An die Kammervorsitzenden verteilt (C)
- Download
- Entscheidung auf Englisch
- Amtsblattfassungen
- Keine AB-Links gefunden
- Weitere Entscheidungen für diese Akte
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- Zusammenfassungen für diese Entscheidung
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- Bezeichnung der Anmeldung
- A method of forming silicon oxy-nitride films by plasma- enhanced chemical vapor deposition
- Name des Antragstellers
- APPLIED MATERIALS, Inc.
- Name des Einsprechenden
- -
- Kammer
- 3.4.03
- Leitsatz
- -
- Relevante Rechtsnormen
- European Patent Convention Art 56 1973
- Schlagwörter
- Inventive step (yes, after amendments)
- Orientierungssatz
- -
- Zitierte Akten
- -
- Zitierende Akten
- -
ORDER
For these reasons it is decided that:
1. The decision under appeal is set aside.
2. The case is remitted to the first instance with the order to grant a patent on the basis of the following patent application documents:
Description:
Pages 1, 2, 8 and 9 as filed;
Pages 3, 3a, 4 to 7, 10 and 11 filed with the letter dated 11 May 1999;
Pages 12 and 13 annexed to the communication of the Board of 20 February 2003 and agreed by the appellant by the letter dated 17 April 2003;
Claims:
No. 1 annexed to the communication of the Board of 20 February 2003 and agreed by the appellant by the letter dated 17 April 2003;
Nos. 2 to 4 of the then first auxiliary request filed with the letter dated 5 October 2000;
Drawings:
Sheet 1/1 as filed.