T 0496/95 vom 16.09.1999
- Europäischer Rechtsprechungsidentifikator
- ECLI:EP:BA:1999:T049695.19990916
- Datum der Entscheidung
- 16. September 1999
- Aktenzeichen
- T 0496/95
- Online am
- 24. September 1999
- Antrag auf Überprüfung von
- -
- Anmeldenummer
- 89111873.9
- IPC-Klasse
- H01L 31/105H01L 31/0224
- Verfahrenssprache
- Deutsch
- Verteilung
- An die Kammervorsitzenden verteilt (C)
- Download
- Entscheidung auf Deutsch
- Amtsblattfassungen
- Keine AB-Links gefunden
- Weitere Entscheidungen für diese Akte
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- Zusammenfassungen für diese Entscheidung
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- Bezeichnung der Anmeldung
- Ohmscher Kontakt für eine p-leitende Schicht eines InP-Substrates von Fotodioden und Verfahren zu dessen Herstellung
- Name des Antragstellers
- SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- Name des Einsprechenden
- -
- Kammer
- 3.4.02
- Leitsatz
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- Relevante Rechtsnormen
- European Patent Convention Art 84 1973
- Schlagwörter
- Klarheit der Ansprüche (verneint)
Entscheidung nach Aktenlage - Orientierungssatz
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- Zitierte Akten
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- Zitierende Akten
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ENTSCHEIDUNGSFORMEL
Aus diesen Gründen wird entschieden:
Die Beschwerde wird zurückgewiesen.