T 0329/89 vom 13.09.1990
- Europäischer Rechtsprechungsidentifikator
- ECLI:EP:BA:1990:T032989.19900913
- Datum der Entscheidung
- 13. September 1990
- Aktenzeichen
- T 0329/89
- Antrag auf Überprüfung von
- -
- Anmeldenummer
- 79301114.9
- IPC-Klasse
- H01L 21/318
- Verfahrenssprache
- Englisch
- Verteilung
- Nicht verteilt (D)
- Download
- Entscheidung auf Englisch
- Amtsblattfassungen
- Keine AB-Links gefunden
- Weitere Entscheidungen für diese Akte
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- Zusammenfassungen für diese Entscheidung
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- Bezeichnung der Anmeldung
- Process for producing a semiconductor device having an insulating layer of silicon dioxide covered by a film of silicon oxynitride
- Name des Antragstellers
- Fujitsu Limited
- Name des Einsprechenden
- Siemens AG
- Kammer
- 3.4.01
- Leitsatz
- -
- Relevante Rechtsnormen
- European Patent Convention Art 56 1973
- Schlagwörter
- Inventive step
- Orientierungssatz
- -
ORDER
For these reasons, it is decided that:
1. The decision under appeal is set aside.
2. Appellant's main and first to fourth auxiliary requests are rejected.
3. The case is remitted to the Opposition Division for further prosecution on the basis of Claims 1 to 5 filed during the oral proceedings as fifth auxiliary request.