T 0015/86 du 26.03.1987
- Identifiant européen de la jurisprudence
- ECLI:EP:BA:1987:T001586.19870326
- Date de la décision
- 26 mars 1987
- Numéro de l'affaire
- T 0015/86
- En ligne le
- 26 mars 1987
- Requête en révision de
- -
- Numéro de la demande
- 82400081.4
- Classe de la CIB
- -
- Langue de la procédure
- Français
- Distribution
- Non distribuées (D)
- Téléchargement
- Décision en français
- Versions JO
- Aucun lien JO trouvé
- Autres décisions pour cet affaire
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- Résumés pour cette décision
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- Titre de la demande
- Procédé de fabrication d'une structure de transistors
- Nom du demandeur
- Thomson CSF
- Nom de l'opposant
- -
- Chambre
- 3.4.01
- Sommaire
- -
- Dispositions juridiques pertinentes
- European Patent Convention Art 56 1973
- Mots-clés
- Activité inventive
inventive step - Exergue
- -
- Affaires citées
- -
- Affaires citantes
- -
DISPOSITIF
Par ces motifs, il est stauté comme suit :
1. La décision de la Division d'examen est annulée.
2. L'affaire est renvoyée devant la première instance pour délivrance d'un brevet sur la base des documents suivants :
2.1. description :
- pages 1 à 10 de la demande de brevet initiale avec mission d'effectuer les modifications suivantes :
- page 1 : changer le titre en "Procédé de fabrication d'une structure de transistors" ;
- page 1, ligne 1 : remplacer cette ligne par : "La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de tran-" ;
- page 1, ligne 12 : ajouter après "tion." : "Le brevet US-A-4 029 527 en est un autre exemple." ;
- page 3, ligne 9 : ajouter après "parasites" : "Le brevet FR-A-2 257 148 montre un exemple d'une telle solution." ;
- page 3, ligne 10 : remplacer cette ligne par : "Ainsi, le but de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'" ;
- page 3, lignes 16 à 18 : supprimer ces lignes ;
- page 3, lignes 19 à 26 : remplacer ces lignes par "Ainsi la présente invention consiste en un procédé... (reprendre ensuite le libellé de la revendication 1 en y supprimant toutefois les chiffres de référence) ;
- page 4, ligne 2 : remplacer cette ligne par "structure de transistor bipolaire obtenue avec un procédé selon la présente invention" ;
- page 4, ligne 7 : remplacer cette ligne par "bipolaire obtenu avec un procédé selon la présente invention" ;
- page 5, ligne 32 : remplacer "peuvent être" par "sont" ;
- page 7, ligne 32 : remplacer les termes "micron" et "microns" par "micromètre" et "micromètres" respectivement ;
- page 8, ligne 12 : ajouter après "sillons" la phrase "On pourra se référer à l'article "Etch Rate Characterization of Boron- Implanted Thermally Grown SiO2" de R.V. Schnettmann publié dans le "Journal of the Electrochemical Society", vol. 120, n° 11, novembre 1973, Princeton (US), pages 1566 à 1570" ;
- page 10, lignes 24 à 27 : supprimer ces lignes.
2.2. Revendications
- revendications 1 à 4, pages 8 à 10 de la notification du 23 octobre 1986 ;
2.3. Dessins
- figures 1 à 8 de la demande de brevet initiale.