T 0329/89 du 13.09.1990
- Identifiant européen de la jurisprudence
- ECLI:EP:BA:1990:T032989.19900913
- Date de la décision
- 13 septembre 1990
- Numéro de l'affaire
- T 0329/89
- Requête en révision de
- -
- Numéro de la demande
- 79301114.9
- Classe de la CIB
- H01L 21/318
- Langue de la procédure
- Anglais
- Distribution
- Non distribuées (D)
- Téléchargement
- Décision en anglais
- Versions JO
- Aucun lien JO trouvé
- Autres décisions pour cet affaire
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- Résumés pour cette décision
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- Titre de la demande
- Process for producing a semiconductor device having an insulating layer of silicon dioxide covered by a film of silicon oxynitride
- Nom du demandeur
- Fujitsu Limited
- Nom de l'opposant
- Siemens AG
- Chambre
- 3.4.01
- Sommaire
- -
- Dispositions juridiques pertinentes
- European Patent Convention Art 56 1973
- Mots-clés
- Inventive step
- Exergue
- -
ORDER
For these reasons, it is decided that:
1. The decision under appeal is set aside.
2. Appellant's main and first to fourth auxiliary requests are rejected.
3. The case is remitted to the Opposition Division for further prosecution on the basis of Claims 1 to 5 filed during the oral proceedings as fifth auxiliary request.