T 0409/90 (Avalanche-Fotodioden) 29-01-1991
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1. Zur Ermittlung der Erfindung, die Gegenstand des Prioritätsdokuments ist, muß das Prioritätsdokument als Ganzes, so wie es der Fachmann liest, herangezogen werden (siehe Nr. 2.3 a der Entscheidungsgründe).
2. Bei der Beurteilung dessen, was im Anspruch eines Prioritätsdokuments offenbart ist, ist es von Bedeutung, daß der Zweck des Anspruchs in der Festlegung des Schutzbegehrens besteht. Die Tatsache allein, daß ein Anspruch in einem Prioritätsdokument so breit ist, daß er auch einen konkreten, in einer europäischen Patentanmeldung erstmals beanspruchten Gegenstand umfaßt, ist kein hinreichender Beweis dafür, daß dieser Gegenstand bereits im Prioritätsdokument offenbart worden ist, so daß zwecks Inanspruchnahme der Priorität gemäß Artikel 87 EPU geltend gemacht werden könnte, es handle sich um dieselbe Erfindung (siehe Nr. 2.3 a der Entscheidungsgründe).
Prioritätsrecht (verneint)
Unterschiedliche Erfindungen
Erfinderische Tätigkeit (verneint)
Willkürliche Dimensionierung auf der Grundlage bekannter Wirkungen
I. Die europäische Patentanmeldung Nr. 85 101 755.8 (Veröffentlichungsnr. 0 156 156) ist eine Teilanmeldung der Stammanmeldung Nr. 81 305 658.7 (Veröffentlichungsnr. 0 053 513); sie wurde mit Entscheidung der Prüfungsabteilung im Hinblick auf den veröffentlichten Anspruch 1 zurückgewiesen, der wie folgt lautet:
"1. Eine Avalanche-Fotodiode, die
eine lichtabsorbierende Halbleiterschicht (3) mit mindestens einem Dotierstoff des einen Leitungstyps,
eine aktive Halbleiterschicht (5), deren Kristallstruktur zu der der lichtabsorbierenden Schicht (3) paßt und die eine größere Bandlücke aufweist als der Halbleiter der lichtabsorbierenden Schicht (3), wobei die aktive Schicht (5) auf der lichtabsorbierenden Schicht (3) ausgebildet ist und im wesentlichen mindestens einen Dotierstoff des genannten einen Leitungstyps enthält, und
eine Halbleiter-Deckschicht (16) umfaßt, deren Kristallstruktur zu der der aktiven Schicht (5) paßt und die eine größere Bandlücke aufweist als der Halbleiter der lichtabsorbierenden Schicht (3), wobei die Deckschicht (16) auf der aktiven Schicht (5) ausgebildet ist und im wesentlichen mindestens einen Dotierstoff des genannten einen Leitungstyps in einer geringeren Konzentration als die aktive Schicht (5) enthält, wobei aber die Deckschicht (16) und ein oberer Abschnitt der aktiven Schicht (5) ein Gebiet darin aufweisen, das mindestens einen Dotierstoff eines dem genannten Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps enthält, um ein lichtempfindliches Gebiet herzustellen, das von den anderen Gebieten der Deckschicht und der aktiven Schicht durch einen pn-Ubergang (18) in Form einer Vertiefung getrennt ist, dessen unteres Ende sich in der aktiven Schicht (5) befindet."
Die veröffentlichten Ansprüche 2 bis 7 sind von Anspruch 1 abhängig.
II. Die Zurückweisung wurde damit begründet, daß der Aufbau der Avalanche-Fotodiode gemäß Anspruch 1 nicht die hochdotierte Zwischenschicht (4) zwischen der aktiven (bzw. Vervielfachungs-)Schicht (5) und der lichtabsorbierenden Schicht (3) aufweise, die zur grundlegenden Lehre des Prioritätsdokuments der vorliegenden Teilanmeldung gehöre, nämlich zu
D3: JP-A-169 889/80.
So könne Anspruch 1 lediglich die Priorität des Anmeldetages der europäischen Stammanmeldung vom 1. Dezember 1981 in Anspruch nehmen und müsse deshalb vor dem Hintergrund der Offenbarung in
D1: "Electronics Letters", 29. Oktober 1981, Band 17, Nr. 22, Seiten 826 und 827
als dem Stand der Technik gemäß Artikel 54 (2) EPU geprüft werden. Der Unterschied zwischen dem Gegenstand des Anspruchs 1 und dem des Dokuments D1 - eine weitere Eindiffundierung des pn- Ubergangs von der Trennfläche zwischen der n-InP- und der n InP- Schicht in D1 in die anspruchsgemäße aktive (n InP-) Schicht - sei naheliegend, zumal er nicht zu unerwarteten Wirkungen oder Eigenschaften führe.
III. Gegen diese Entscheidung legte die Beschwerdeführerin Beschwerde ein.
IV. In einer Mitteilung, die der Ladung zur mündlichen Verhandlung beilag, machte die Kammer die Beschwerdeführerin auf das folgende, im europäischen Recherchenbericht genannte weitere Dokument aufmerksam:
D2: "Electronics Letters", 19. Juli 1979, Band 15, Nr. 15, Seiten 453 - 455.
Die Kammer wies die Beschwerdeführerin auf einige Tatsachen hin, die ihre vorläufige Auffassung stützten, daß nämlich beim Gegenstand des Anspruchs 1 kein Gebrauch von der im Prioritätsdokument D3 beanspruchten Erfindung gemacht werde. Falls das Dokument D1 als Stand der Technik gemäß Artikel 54 (2) EPU zu betrachten sei, so könne es für einen Fachmann nahegelegen haben, die vorteilhafte Lehre des Dokuments D2 auf die im Dokument D1 offenbarte Fotodiode anzuwenden. Daß dies zum Gegenstand des Anspruchs 1 führe, habe nichts mit erfinderischer Tätigkeit im Sinne des Artikels 56 EPU zu tun.
V. Am Ende der mündlichen Verhandlung vor der Kammer beantragte die Beschwerdeführerin die Aufhebung der angefochtenen Entscheidung und die Erteilung des Patents auf der Grundlage des Hauptantrags, d. h. der Beschreibung, der Ansprüche und der Zeichnungen in der veröffentlichten Form, oder des in der mündlichen Verhandlung eingereichten ersten, zweiten und dritten Hilfsantrags.
Anspruch 1 des ersten Hilfsantrags entspricht dem des Hauptantrags (siehe Abschnitt I) bis auf folgende Änderungen: Vor dem Wort "Dotierstoff" entfallen jeweils die Worte "mindestens ein", und der mit den Worten "um ein lichtempfindliches Gebiet herzustellen" beginnende letzte Teil des Anspruchs 1 wird durch folgenden Text ersetzt:
"... das von anderen Gebieten der Deckschicht und der aktiven Schicht durch einen pn-Ubergang (18) getrennt wird, dessen unterer Abschnitt, der einem lichtempfindlichen Gebiet der Fotodiode entspricht, in der aktiven Schicht (5) angeordnet ist und dessen Seiten steil oder im wesentlichen senkrecht durch die Deckschicht (16) aufsteigen." Die Ansprüche 2 bis 7 des ersten Hilfsantrags sind von Anspruch 1 abhängig.
Anspruch 1 des zweiten Hilfsantrags lautet wie folgt:
"1. Eine Avalanche-Fotodiode, die
eine lichtabsorbierende Halbleiterschicht (3) mit mindestens einem Dotierstoff des einen Leitungstyps,
eine erste Halbleiterschicht (4, 5), deren Kristallstruktur zu der der lichtabsorbierenden Schicht (3) paßt und die eine größere Bandlücke aufweist als der Halbleiter der lichtabsorbierenden Schicht (3), wobei diese erste Schicht auf der lichtabsorbierenden Schicht ausgebildet ist und mindestens einen Dotierstoff des genannten einen Leitungstyps enthält,
eine zweite Halbleiterschicht (5, 16), deren Kristallstruktur zu der der ersten Schicht (4, 5) paßt und die eine größere Bandlücke aufweist als der Halbleiter der lichtabsorbierenden Schicht, wobei diese zweite Schicht auf der ersten Schicht (4, 5) ausgebildet ist und im wesentlichen mindestens einen Dotierstoff des genannten einen Leitungstyps in einer geringeren Konzentration als die erste Schicht (4, 5) enthält, und
ein Gebiet umfaßt, das mindestens einen Dotierstoff eines dem genannten Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps enthält und das oberhalb der lichtabsorbierenden Schicht (3) ausgebildet und von dieser sowie von anderen Gebieten der Fotodiode durch einen pn-Ubergang getrennt ist, der einen relativ tiefen Teil relativ nahe an der lichtabsorbierenden Schicht (3), der einem lichtempfindlichen Gebiet der Fotodiode entspricht, und flachere Teile weiter weg von der lichtabsorbierenden Schicht aufweist, die sich in der zweiten Schicht befinden und einen Schutzringübergang bilden."
Anspruch 1 des dritten Hilfsantrags entspricht dem des zweiten Hilfsantrags, wobei vor dem Wort "Dotierstoff" jeweils die Worte "mindestens ein" entfallen.
Die Ansprüche 2 bis 11 des zweiten und des dritten Hilfsantrags sind jeweils von Anspruch 1 abhängig.
VI. Die Beschwerdeführerin untermauerte ihre Anträge im wesentlichen mit den nachstehenden Argumenten.
1. Im Hinblick auf ihr Recht, die Priorität des Dokuments D3 in Anspruch zu nehmen, brachte sie vor:
a) Entscheidend für die Feststellung, daß es sich in Dokument D3 und in der vorliegenden Teilanmeldung um "dieselbe Erfindung" im Sinne des Artikels 87 (1) EPU handle, sei nicht der Vergleich von Umfang, Ausführungsart oder Terminologie, sondern das Erkennen der gemeinsamen wesentlichen Merkmale.
b) Wie in Skizze 1 veranschaulicht, die in der mündlichen Verhandlung überreicht worden sei, seien das Prioritätsdokument D3 und die vorliegende Anmeldung vom selben Stand der Technik ausgegangen und hätten beide zum Ziel, den Dunkelstrom einer Avalanche-Fotodiode herabzusetzen.
c) Dieses Ziel werde in beiden Fällen dadurch erreicht, daß zwischen pn-Ubergang und Absorptionsschicht ein Zwischengebiet angelegt sei, das die Stärke des elektrischen Feldes vermindere, bevor es die Trennfläche der Absorptionsschicht erreiche, und somit die Feldstärke in der Absorptionsschicht sowie den daraus hervorgehenden Dunkelstrom herabsetze. Dieser "Abschirmeffekt" sei sowohl im Prioritätsdokument D3 als auch in der vorliegenden Teilanmeldung vorhanden.
d) Wie die in der mündlichen Verhandlung überreichte Skizze 2 zeige, könne die "Vervielfachungsschicht" (5) des Prioritätsdokuments D3 als die "Deckschicht" (16) der vorliegenden Anmeldung beschrieben werden, und die "Zwischenschicht" (4) entspreche der "aktiven" Schicht (5) der vorliegenden Anmeldung. Somit liege in beiden Fällen der folgende Schichtaufbau vor: zunächst eine niedriger dotierte, dann eine höher dotierte und schließlich eine lichtabsorbierende Schicht.
Absolut betrachtet sei die Konzentration des n-Dotierstoffes in der "Zwischenschicht" (4) des Prioritätsdokuments D3 ca. vier- bis sechsmal höher als in der "aktiven" Schicht (5) der vorliegenden Teilanmeldung und in der "Vervielfachungsschicht" (5) des Prioritätsdokuments ca. achtmal höher als in der "Deckschicht" (16) der vorliegenden Teilanmeldung. Die Dotierungsdichte sei also im Prioritätsdokument D3 stets höher als in der vorliegenden Teilanmeldung. Dieser Unterschied beeinträchtige die Erfindung, d. h. die Abschirmung der lichtabsorbierenden Schicht zur Verminderung des Dunkelstroms, nicht.
e) Der die lichtabsorbierende Schicht unmittelbar überlagernde höher dotierte Teil müsse weder eine separate Schicht sein noch einen gewissen Abstand zum darunterliegenden pn-Ubergang aufweisen. Wenn die Zwischenschicht (4) des Prioritätsdokuments D3 ausreichend dick sei, könne sich der pn- Ubergang auch innerhalb dieser Schicht befinden.
f) Wie aus dem Wortlaut des Dokuments D3, Seite 2, Zeilen 9 - 12 hervorgehe, sei im Anspruch dieses Prioritätsdokuments nicht angegeben, wo sich der pn-Ubergang befinde. Auch nach der Beschreibung des Prioritätsdokuments, Seite 7, Zeilen 19 - 23 bleibe offen, ob der pn-Ubergang in der höher oder in der niedriger dotierten Schicht oberhalb der lichtabsorbierenden Schicht liege. In der vorliegenden Teilanmeldung habe man sich für eine der beiden Möglichkeiten entschieden, d. h., man habe den pn-Ubergang in der höher dotierten Schicht angesiedelt. In dieser Teilanmeldung gehe es also um eine konkrete, alternative Ausführungsart der im Prioritätsdokument offenbarten Erfindung. Daß die Erfindung nach dem Prioritätsdokument D3 in der Teilanmeldung eingeschränkt worden sei, stehe dem Recht der Beschwerdeführerin auf Inanspruchnahme der Priorität des Anmeldetages dieses Dokuments nicht entgegen. Der übrige Teil des höher dotierten Gebiets zwischen pn-Ubergang und lichtabsorbierender Schicht erzeuge ohne jeden Zweifel Abschirmeffekt. Infolgedessen bleibe das wesentliche Merkmal der im Prioritätsdokument D3 offenbarten Erfindung in der vorliegenden Teilanmeldung erhalten, womit die Grundbedingung für die Inanspruchnahme der Priorität erfüllt sei.
2. Im Hinblick auf die erfinderische Tätigkeit brachte die Beschwerdeführerin vor:
VII. Am Ende der mündlichen Verhandlung wurde die Entscheidung verkündet, daß die Beschwerde zurückgewiesen werde, weil der Prioritätsanspruch zu verneinen sei und die beanspruchte Erfindung keine erfinderische Tätigkeit aufweise.
1. Die Beschwerde ist zulässig.
2. Prioritätsrecht - Hauptantrag und erster Hilfsantrag
2.1 Der Gegenstand des Anspruchs 1 im Hauptantrag und im ersten Hilfsantrag der Beschwerdeführerin ist ausdrücklich auf einen pn- Ubergang gerichtet, "dessen unteres Ende sich in der aktiven Schicht (5)" unterhalb einer Deckschicht (16) befindet. Diese Merkmale wurden erstmals als Bestandteil der "dritten Ausführungsart" in der europäischen Stammanmeldung offenbart: Siehe Abbildungen 10 und 11 (die mit den Abbildungen 1 und 2 der vorliegenden Teilanmeldung identisch sind) und die zugehörige Beschreibung. Das japanische Prioritätsdokument D3 enthält lediglich eine erste und eine zweite Ausführungsart; siehe D3, Abbildungen 5 und 8 sowie die zugehörige Beschreibung. Beim Vergleich mit Abbildung 8 des Prioritätsdokuments D3 zeigt sich, daß es in Abbildung 2 der vorliegenden Anmeldung keine Schicht mit dem Bezugszeichen "4" gibt, d. h. keine "Zwischenschicht" (mit einer Dotierungsdichte von mehr als 2.1016 cm-3). Der pn- Ubergang liegt auch hier in Schicht (5) (mit einer Dotierungsdichte von mindestens 5.1015 cm-3), wobei die Benennung von "Vervielfachungsschicht" in "aktive Schicht" geändert wurde. In der Stammanmeldung, Seite 5, Zeile 13 wird für den in der Teilanmeldung benutzten Begriff "aktive Schicht (5)" der Ausdruck "eine Vervielfachungs- oder aktive Schicht" verwendet. Daraus folgt, daß die Vervielfachungsschicht (5) nach Prioritätsdokument D3 der aktiven Schicht (5) der vorliegenden Teilanmeldung entspricht. Auf dieser Schicht (5) befindet sich eine neu hinzugefügte Schicht (16) (mit einer Dotierungsdichte von 1.1015 cm-3), die als "Deckschicht" bezeichnet wird.
2.2 Eine allen Ausführungsarten der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe ist die Verminderung von Dunkelströmen.
2.3 Bei der Prüfung, ob es sich bei den wesentlichen technischen Merkmalen der in der Teilanmeldung beanspruchten Erfindung trotz der o. g. Unterschiede im Aufbau und in der Dotierungsdichte um dieselbe Erfindung handelt, die im Prioritätsdokument D3 offenbart ist, müssen folgende Tatsachen und Sachverhalte berücksichtigt werden:
a) Dokument D3 beginnt mit einem "Anspruch", der einen Halbleiter-Fotodetektor nach Art einer Avalanche-Diode definiert, der
a) ein Substrat
b) eine "fotoabsorbierende" Schicht
c) einen dünnen Film ("Zwischenschicht")
d) eine "Vervielfachungsschicht"
aufweist. Der Anspruch endet mit einem Absatz e (Seite 2, Zeilen 9 - 12), in dem es heißt: "das Gebiet (lichtempfindlicher Teil), enthaltend den Dotierstoff des Leitungstyps, der sich von dem des genannten, in hoher Konzentration auf dem Teil der Vervielfachungsschicht vorliegenden Dotierstoffes unterscheidet."
Der Anspruch im allgemeinen und Absatz e im besonderen enthält keine Angabe darüber, wo sich der pn-Ubergang befindet. Wie unter Nr. VI 1 f dargelegt, hat sich die Beschwerdeführerin darauf berufen, daß Absatz e des Anspruchs eine breite Offenbarung des in der vorliegenden Teilanmeldung beanspruchten Gegenstands sei und daß er auch das umfasse, was in der Beschreibung des Prioritätsdokuments D3 deutlich beschrieben sei.
Bei der Beurteilung dessen, was im Anspruch eines Prioritätsdokuments offenbart ist - z. B. in dem oben erwähnten "Anspruch" -, muß man sich nach Ansicht der Kammer vor Augen halten, daß der Zweck des Anspruchs in der Festlegung des Schutzbegehrens besteht. Die Tatsache allein, daß ein Anspruch in einem Prioritätsdokument so breit ist, daß er auch einen konkreten, in einer späteren Anmeldung erstmals eingereichten Gegenstand umfaßt (bzw. "dessen mögliche Bereitstellung einschließt"), ist kein hinreichender Beweis dafür, daß der später angemeldete Gegenstand bereits im Prioritätsdokument offenbart worden ist oder daß Ansprüche in der nachfolgenden Anmeldung auf der Grundlage des später angemeldeten Gegenstands dieselbe Erfindung definieren, die Gegenstand des Prioritätsdokuments ist.
Die Tatsache, daß ein Anspruch in einem Prioritätsdokument so breit ist, daß er auch ein bestimmtes und konkretes technisches Merkmal umfaßt, bedeutet für die Zwecke der Inanspruchnahme seiner Priorität gemäß Artikel 87 EPU nicht zwangsläufig, daß er dieses bestimmte Merkmal offenbart.
Bei der Entscheidung über ein Prioritätsrecht muß die Erfindung, die Gegenstand des Prioritätsdokuments ist, dadurch ermittelt werden, daß die Offenbarung des Prioritätsdokuments als Ganzes, so wie es der Fachmann liest, herangezogen wird.
b) Zur weiteren Auslegung von Absatz e auf Seite 2, Zeilen 9 - 12 des Dokuments D3 heißt es in der unmittelbar nach dem Anspruch beginnenden "Ausführlichen Beschreibung der Erfindung" durchweg, daß der pn-Ubergang in der Vervielfachungsschicht ausgebildet ist - siehe z. B. Seite 3, Zeile 7 sowie die Beschreibung der in den Abbildungen 5 und 8 des Dokuments D3 gezeigten ersten und zweiten Ausführungsart.
Somit ist klar angegeben, daß sich der pn-Ubergang innerhalb der obersten Schicht befindet.
In einer auf Seite 6, Zeile 19 beginnenden Passage mit einer allgemeinen Beschreibung des Gegenstands der "vorliegenden Erfindung" heißt es auf Seite 7, Zeilen 11 - 19 außerdem, daß die Vervielfachungsschicht eine Dotierungsdichte aufweist, "die einen Bruchteil oder weniger" der Dotierungsdichte der Zwischenschicht beträgt. Aus der Offenbarung in Dokument D3, Seite 20, Zeile 21 bis Seite 21, Zeile 4 schließt ein Fachmann, daß die Feldstärke der lichtabsorbierenden Schicht sehr schwach wird, wenn zwischen der Vervielfachungsschicht (5) und der lichtabsorbierenden Schicht (3) eine hohe Dotierungsdichte vorliegt.
Der Text auf Seite 7, Zeilen 19 bis 23 bezieht sich auf die Bildung des lichtempfindlichen Teils "auf einem Teil dieser Vervielfachungsschicht durch Eindiffundieren des Dotierstoffes, dessen Leitungstyp ein anderer ist als derjenige des genannten Dotierstoffes, der in hoher Konzentration und vergleichsweise tief vorliegt".
c) Nach Ansicht der Kammer interpretiert ein Fachmann die obige Offenbarung in Dokument D3 daher wie folgt: Das wesentliche technische Merkmal zur Verminderung des Dunkelstroms ist das Vorhandensein eines hauptsächlich die Feldstärke herabsetzenden, höher dotierten Gebiets unter einem hauptsächlich vervielfachenden, niedriger dotierten Gebiet, worin sich der pn- Ubergang befindet. Der Fachmann wird also nach Ansicht der Kammer den Abschirmeffekt darauf zurückführen, daß zwischen dem pn- Ubergang und der lichtabsorbierenden Schicht eine höhere Dotierungsdichte herrscht. In der vorliegenden Teilanmeldung ist jedoch eine höhere Dotierungsdichte in diesem Gebiet nicht gegeben. Aus diesen Gründen vertritt die Kammer die Auffassung, daß sich die Erfindung des Prioritätsdokuments D3 von der in der vorliegenden Teilanmeldung beanspruchten unterscheidet.
d) Die Beschwerdeführerin hat in ihrer Argumentation in den Abschnitten VI 1)e) und f) die obigen technischen Fakten so verallgemeinert, daß sie nicht mehr die im Prioritätsdokument D3 offenbarte Erfindung kennzeichnen, sondern auf die im Dokument D2 beschriebene Avalanche-Fotodiode zutreffen, d. h. den für das Prioritätsdokument D3 maßgeblichen Stand der Technik. Bei dieser Diode wird der Dunkelstrom mittels Abschirmung durch einen Teil der Vervielfachungsschicht selbst vermindert; siehe Dokument D2, Seite 454, Abbildung 1 und die zugehörige Beschreibung.
2.4 Ein weiterer Hinweis darauf, daß im Prioritätsdokument D3 und in der vorliegenden Teilanmeldung unterschiedliche Erfindungen offenbart werden, ist die Tatsache, daß in der Beschreibung der vorliegenden Anmeldung ausdrücklich gesagt wird, die höher dotierte Zwischenschicht zwischen der Vervielfachungs- (d. h. aktiven) Schicht und der lichtabsorbierenden Schicht des Prioritätsdokuments D3 sei deshalb nicht vorgesehen, weil es die Schichtenkonfiguration und somit die Herstellung der Diode vereinfache (siehe Beschreibung der vorliegenden Teilanmeldung, Seite 10, Zeilen 10 - 20 und Seite 7, Zeilen 14 - 31). In der vorliegenden Teilanmeldung wird der erzielbare niedrige Dunkelstrom der "extrem geringen Dotierungsdichte in der Deckschicht (16)" zugeschrieben; siehe Seite 11, Zeilen 7 - 11.
2.5 Aus den genannten Gründen und mit Bezug auf den Haupt- und den ersten Hilfsantrag der Beschwerdeführerin stellt die Kammer fest, daß in der vorliegenden Teilanmeldung eine andere Erfindung beansprucht wird als die in Prioritätsdokument D3 offenbarte, so daß die Beschwerdeführerin nicht berechtigt ist, gemäß Artikel 87 (1) EPU in der vorliegenden Teilanmeldung die Priorität des Anmeldetages von Dokument D3 in Anspruch zu nehmen.
3. Prioritätsrecht - zweiter und dritter Hilfsantrag
Der Text von Anspruch 1 im zweiten und dritten Hilfsantrag der Beschwerdeführerin umfaßt ebenfalls die Merkmale der dritten Ausführungsart der Abbildungen 10 und 11 der europäischen Patentanmeldung, d. h. der Dioden gemäß den Abbildungen 1 und 2 der vorliegenden Teilanmeldung. Diese Ansprüche enthalten also eine Alternative, die aus dem in Nr. 2 genannten Grund eine andere Erfindung verkörpert, als in Dokument D3 offenbart wurde. Somit gilt die Feststellung unter Nr. 2.5 auch für Anspruch 1 des zweiten und des dritten Hilfsantrags.
4. Erfinderische Tätigkeit - Hauptantrag, erster, zweiter und dritter Hilfsantrag
4.1 Aus den unter Nr. 2 und 3 genannten Gründen ist der Anmeldetag der europäischen Stammanmeldung Nr. 81 305 658.7 vom
1. Dezember 1981 als Anmeldetag der vorliegenden europäischen Teilanmeldung anzusehen. Infolgedessen muß Dokument D1 zusätzlich als Stand der Technik gemäß Artikel 54 (2) EPU berücksichtigt werden.
4.8 Aus den unter Nr. 4.4 bis 4.7 genannten Gründen wird der Gegenstand von Anspruch 1 des Haupt- sowie des ersten, zweiten und dritten Hilfsantrags nicht als erfinderisch im Sinne des Artikels 56 EPU erachtet.
5. Wie oben dargelegt, ist Anspruch 1 des Haupt- sowie des ersten, zweiten und dritten Hilfsantrags im Hinblick auf Artikel 52 (1) und 56 EPU nicht gewährbar. Die Ansprüche 2 bis 7 des Haupt- und des ersten Hilfsantrags sowie die Ansprüche 2 bis 11 des zweiten und dritten Hilfsantrags sind ebenfalls nicht gewährbar, weil sie jeweils von dem nicht gewährbaren Anspruch 1 abhängig sind.
ENTSCHEIDUNGSFORMEL
Aus diesen Gründen wird entschieden:
Die Beschwerde wird zurückgewiesen.